场效应管(场效应管工作原理)

内容来源：肖登天更新时间：2024-05-05 01:37:31

小扬学长爱学习电子信息类专业，在校大学生一枚目录学习辅导本章重点及内容提要本章重点：（FET的工作原理、I-V特性和主要参数。（FET放大电路的组成及工作原理（FET放大电路的分析方法（共源、共漏、共栅放大电路的特点内容提要：（FET的特性及各电极间所加电压极性的规律各种类型场效应管的特性比较见表411。 1 v_ {DS} 的极性取决于导电沟道的类型凡是N沟道（无论的MOSFET还是JFET），载流子是电子，欲使电子向漏极漂移运动， v_ {DS} 必为正值；凡是P沟道，载流子是空穴，欲使空穴向漏极漂移运动， v_ {DS} 必为负值。 2v_ {DS}值得极性取决于工作方式和导电沟道的类型MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。 MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。 MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。 2 MOS管工作原理 --Mos管的结构特点 MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子 (多子)参与导电，是单极型晶体管。场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数： I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。 UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。 gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。101 从一个错误开始讲场效应管的应用_场效应管的所有应用知乎-CSDN博客 VIP文章 sllin 于 2020-04-01 31 发布阅读量737 收藏 9 点赞数 1 分类专栏： # 2电子入门进阶版权前言写作思路调整下，前期科普的较多，现在开始，讲解最实用的设计思路和用法。还是坚持从整体到局部，从大框架到小应用。近期几位同学给我提了建议和意见。主要有以下几个：要参加大学竞赛和实验室，无法快速的用上，对基础电路很模糊；马上面临毕业了，找什么样的工作，怎样实习那些岗位适合后续发展。讲的二极管法，当只有一个板子时，不知道怎么使用。知乎专栏的排版很乱，建议用哔哩哔哩:) 解决方案如下：搜索结果（场效应管是电压控制器件，它通过VGS (栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012𜉥𞈥䧣€‚ （它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（场效应管的抗辐射能力强；（由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。场效应管原理及基本结构下面详解场效应管原理。场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。其结构示意图： MOS场效应三极管分为：增强型（又有N沟道、P沟道之分）及耗尽型（分有N沟道、P沟道）。场效应管和双极晶体管不同，仅以电子或空穴中的一种载子动作的晶体管。按照结构、原理可以分为：．接合型场效应管．MOS型场效应管这张图片一目了然 ★接合型场效应管（结型FET）原理 N 通道接合型场效应管如图所示，以P型半导体的栅极从两侧夹住N型半导体的结构。将PN接合面上外加反向电压时所产生的空乏区域用于电流控制。 N型结晶区域的两端加上直流电压时，电子从源极流向漏极。电子所通过的通道宽度由从两侧面扩散的P型区域以及加在该区域上的负电压所决定。加强负的栅极电压时，PN接合部分的空乏区域扩展到通道中，而缩小通道宽度。因此，以栅极电极的电压可以控制源极-漏极之间的电流。用途即使栅极电压为零，也有电流流通，因此用于恒定电流源或因低噪音而用于音频放大器等。@ [TOC] (文章目录) 三极管工作原理 1三极管导通 2电流放大场效应管（JFET）工作原理 MOS管工作原理三极管工作原理我们知道三极管是一款电流放大器件。三极管分为NPN型和PNP型半导体，两者结构工作原理基本相同，本文以NPN型三极管分析其工作原理。三极管的结构图如图所示，三级管内部有两个 PN结，分别为集电结和发射结，有基集（B）、集电极（C）和发射极（E）三个引脚。给三极管三个引脚施加电压，达到什么条件才能使得三极管导通呢？如果U2=0，即B极电流为0，那三极管必然不会导通，因为存在PN结反偏的现象。 1三极管导通如果B极电流不是0，三级挂工作情况又会如何呢？如图所示：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。 1结型场效应管（结型场效应管结构 N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。结型场效应管的结构示意图（结型场效应管工作原理场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。 [1] 中文名场效应管外文名 Field Effect Transistor 别名场效应晶体管或者mos管表达式 FET 适用领域电学应用学科物理目录 1 特点 2 工作原理 3 分类 4 作用 5 常见的场效应管 6 使用优势 7 对比 8 型号命名 9 主要参数直流参数交流参数